硫硒化钼晶体 モッセ（硫化モリブデンディセレニド）
晶体尺寸：~6毫米
电学性能：半导体
晶体结构：六边形
晶胞参数：取决于合金成分：a = b = 0.31 -0.33 nm、c = 1.21 -1.29 nm、α = β = 90°、γ = 120°
晶体类型：合成
晶体纯度：＞99.995%

（001）平面に沿って並ぶMoSSe単晶のX線XXX射線衍射。XRDはD8 Venture Brukerを使用して室温で実行された。5つのXRDピークは,左から右に,l = 2,4,6,8,10で (00l) に対応します.

単結晶MoSSeの粉末X線衍射（XRD）。X線折射はD8 Venture Brukerを使用して室温で行われた。

エネルギー分散X線分光学（EDX）による単晶MoSSeのストイチオメトリック分析

単晶モッセのラマンスペクトル。測定は室温で785nmラマンシステムで行われた。